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PUMD2,115

¥0.80

系列 : - 制造商 : Nexperia USA Inc. 晶体管类型 : 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 100mA 电压 - 集射极击穿(最大值) : 50V 电阻器 - 基底(R1) : 22 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2) : 22 千欧 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 60 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) : 150mV @ 500μA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值) : 1μA 频率 - 跃迁 : - 功率 - 最大值 : 300mW 封装/外壳 : 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装 : 6-TSSOP 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

DCX143EU-7-F

¥0.75

系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated 晶体管类型 : 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 100mA 电压 - 集射极击穿(最大值) : 50V 电阻器 - 基底(R1) : 4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2) : 4.7 千欧 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 50 @ 10mA,5V / 40 @ 10mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) : 300mV @ 500μA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值) : 500nA 频率 - 跃迁 : 250MHz 功率 - 最大值 : 200mW 封装/外壳 : 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装 : SOT-363 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

BCR133SH6327XTSA1

¥0.11

系列 : - 制造商 : Infineon Technologies 晶体管类型 : 2 个 NPN 预偏压式(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 100mA 电压 - 集射极击穿(最大值) : 50V 电阻器 - 基底(R1) : 10 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2) : 10 千欧 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 30 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) : 300mV @ 500μA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值) : - 频率 - 跃迁 : 130MHz 功率 - 最大值 : 250mW 封装/外壳 : 6-VSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装 : PG-SOT363-6 包装 : 标准卷带 零件状态 : 最後抢购

BCR10PNH6327XTSA1

¥0.11

系列 : - 制造商 : Infineon Technologies 晶体管类型 : 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 100mA 电压 - 集射极击穿(最大值) : 50V 电阻器 - 基底(R1) : 10 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2) : 10 千欧 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 30 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) : 300mV @ 500μA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值) : - 频率 - 跃迁 : 130MHz 功率 - 最大值 : 250mW 封装/外壳 : 6-VSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装 : PG-SOT363-6 包装 : 标准卷带 零件状态 : 最後抢购

DDC143TU-7-F

¥0.89

系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated 晶体管类型 : 2 个 NPN 预偏压式(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 100mA 电压 - 集射极击穿(最大值) : 50V 电阻器 - 基底(R1) : 4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2) : - 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 100 @ 1mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) : 300mV @ 250μA,2.5mA 电流 - 集电极截止(最大值) : - 频率 - 跃迁 : 250MHz 功率 - 最大值 : 200mW 封装/外壳 : 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装 : SOT-363 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

DDC114TU-7-F

¥0.79

系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated 晶体管类型 : 2 个 NPN 预偏压式(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 100mA 电压 - 集射极击穿(最大值) : 50V 电阻器 - 基底(R1) : 10 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2) : - 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 100 @ 1mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) : 300mV @ 100μA,1mA 电流 - 集电极截止(最大值) : - 频率 - 跃迁 : 250MHz 功率 - 最大值 : 200mW 封装/外壳 : 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装 : SOT-363 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

DCX114EU-7-F

¥0.95

系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated 晶体管类型 : 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 100mA 电压 - 集射极击穿(最大值) : 50V 电阻器 - 基底(R1) : 10 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2) : 10 千欧 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 30 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) : 300mV @ 500μA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值) : 500nA 频率 - 跃迁 : 250MHz 功率 - 最大值 : 200mW 封装/外壳 : 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装 : SOT-363 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

IMH10AT110

¥0.15

系列 : - 制造商 : Rohm Semiconductor 晶体管类型 : 2 个 NPN 预偏压式(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 100mA 电压 - 集射极击穿(最大值) : 50V 电阻器 - 基底(R1) : 2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2) : 47 千欧 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 80 @ 10mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) : 300mV @ 250μA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值) : 500nA 频率 - 跃迁 : 250MHz 功率 - 最大值 : 300mW 封装/外壳 : SC-74,SOT-457 供应商器件封装 : SMT6 包装 : 标准卷带 零件状态 : 不适用於新设计

UMB9NTN

¥0.15

系列 : - 制造商 : Rohm Semiconductor 晶体管类型 : 2 个 PNP 预偏压式(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 100mA 电压 - 集射极击穿(最大值) : 50V 电阻器 - 基底(R1) : 10 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2) : 47 千欧 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 68 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) : 300mV @ 250μA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值) : 500nA 频率 - 跃迁 : 250MHz 功率 - 最大值 : 150mW 封装/外壳 : 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装 : UMT6 包装 : 标准卷带 零件状态 : 不适用於新设计

FMG8AT148

¥0.12

系列 : - 制造商 : Rohm Semiconductor 晶体管类型 : 2 个 NPN 预偏压式(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 100mA 电压 - 集射极击穿(最大值) : 50V 电阻器 - 基底(R1) : 4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2) : 47 千欧 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 80 @ 10mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) : 300mV @ 250μA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值) : 500nA 频率 - 跃迁 : 250MHz 功率 - 最大值 : 300mW 封装/外壳 : SC-74A,SOT-753 供应商器件封装 : SMT5 包装 : 标准卷带 零件状态 : 不适用於新设计

UMH9NTN

¥0.83

系列 : - 制造商 : Rohm Semiconductor 晶体管类型 : 2 个 NPN 预偏压式(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 100mA 电压 - 集射极击穿(最大值) : 50V 电阻器 - 基底(R1) : 10 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2) : 47 千欧 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 68 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) : 300mV @ 250μA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值) : 500nA 频率 - 跃迁 : 250MHz 功率 - 最大值 : 150mW 封装/外壳 : 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装 : UMT6 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

UMD9NTR

¥1.17

系列 : - 制造商 : Rohm Semiconductor 晶体管类型 : 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 100mA 电压 - 集射极击穿(最大值) : 50V 电阻器 - 基底(R1) : 10 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2) : 47 千欧 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 68 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) : 300mV @ 250μA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值) : 500nA 频率 - 跃迁 : 250MHz 功率 - 最大值 : 150mW 封装/外壳 : 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装 : UMT6 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售